Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Sai P$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Sai P. O. 
Ohmic contacts to InN-based materials [Електронний ресурс] / P. O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2016. - № 4-5. - С. 3-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2016_4-5_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 575.94 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Sorokin V. M. 
Degradation processes in LED modules [Електронний ресурс] / V. M. Sorokin, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Shynkarenko, R. Ya. Kudryk, P. O. Sai // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 3. - С. 248-254. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_3_4
Electrical-heat-light degradation model of a light-emitting module has been developed in this work. The Monte-Carlo method was used to calculate the reliability time of LED modules with different halfwidth of LED chip series resistance. Separation of LED chips with different series resistance before assembling may increase the time of emission in a stable mode up to 10 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 859.318 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Sai P. O. 
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN [Електронний ресурс] / P. O. Sai, N. V. Safryuk-Romanenko, D. B. But, G. Cywiński, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, N. V. Jmeric, S. V. Ivanov, V. V. Shynkarenko // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 1. - С. 56-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_1_10
Досліджено механізми струмоперенесення та формування омічних контактів до n<^>+-InN із рівнями легування 2 x 10<^>18, 8 x 10<^>18 і 4 x 10<^>19 см<^>-3. Омічні контакти Pd/Ti/Au були сформовані в процесі магнетронного напилення металу за одночасного використання температурної обробки, що надало можливість отримати низький питомий контактний опір <$E (4,20~symbol С~2,67)~cdot~10 sup -6> Ом-см<^>2. Для покращання властивостей отриманих омічних контактів підтверджено можливість використання додаткових швидких термічних обробок в інтервалі температур 350 - 400 <^>oC, при цьому оптимальні параметри температурної обробки визначено за допомогою статистичного аналізу даних. Щодо встановлення механізму струмоперенесення через інтерфейс "метал - InN", спостерігалося нетипове зростання питомого контактного опору в широкому діапазоні температур 4,2 - 380 K у випадках усіх досліджених рівнів легування плівок InN. Пояснено механізм струмоперенесення на основі протікання струму через металеві шунти, спряжені з дислокаціями в плівках InN. Аналітично оцінеіо значення густини провідних металевих шунтів на основі модельних уявлень добре узгоджуються з експериментальними значеннями густин гвинтових і краєвих дислокацій, експериментально отриманих за допомогою високороздільної рентгенівської дифракції. З отриманих температурних залежностей питомого контактного опору зроблено висновки про тип металу, який проникає в дислокації і формує металеві шунти.
Попередній перегляд:   Завантажити - 996.229 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Sai P. O. 
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN [Електронний ресурс] / P. O. Sai, N. V. Safryuk-Romanenko, D. B. But, G. Cywiński, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, N. V. Jmeric, S. V. Ivanov, V. V. Shynkarenko // Український фізичний журнал. - 2019. - Т. 64, № 1. - С. 55-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2019_64_1_10
Досліджено механізми струмоперенесення та формування омічних контактів до n<^>+-InN із рівнями легування 2 x 10<^>18, 8 x 10<^>18 і 4 x 10<^>19 см<^>-3. Омічні контакти Pd/Ti/Au були сформовані в процесі магнетронного напилення металу за одночасного використання температурної обробки, що надало можливість отримати низький питомий контактний опір <$E (4,20~symbol С~2,67)~cdot~10 sup -6> Ом-см<^>2. Для покращання властивостей отриманих омічних контактів підтверджено можливість використання додаткових швидких термічних обробок в інтервалі температур 350 - 400 <^>oC, при цьому оптимальні параметри температурної обробки визначено за допомогою статистичного аналізу даних. Щодо встановлення механізму струмоперенесення через інтерфейс "метал - InN", спостерігалося нетипове зростання питомого контактного опору в широкому діапазоні температур 4,2 - 380 K у випадках усіх досліджених рівнів легування плівок InN. Пояснено механізм струмоперенесення на основі протікання струму через металеві шунти, спряжені з дислокаціями в плівках InN. Аналітично оцінеіо значення густини провідних металевих шунтів на основі модельних уявлень добре узгоджуються з експериментальними значеннями густин гвинтових і краєвих дислокацій, експериментально отриманих за допомогою високороздільної рентгенівської дифракції. З отриманих температурних залежностей питомого контактного опору зроблено висновки про тип металу, який проникає в дислокації і формує металеві шунти.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.02 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського